技术编号:6798199
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体激光器。目前普通的双异质结(DH)半导体激光器,由于PN结结电容和引线电感较大的原因,使半导体激光器的调制带宽限制在1GHZ以下,一般只能达到300~500MHZ。为此有人曾直接将激光二极管的芯片安装在微带的一端,从另一端输入高频信号进行调制,这样虽然能降低引线电感,但结电容的影响无法克服。即是采用结电容较小的芯片,如掩埋式双异质结(BH)激光二极管芯片,其调制带宽也只能达到1GHZ。这种结构无法采用廉价的电极条形双异质结激光二极管芯片...
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