技术编号：6798314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓及其化合物薄膜的外延生长方法，特别涉及复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片制造技术。采用InGaN/GaN类量子阱或Zn掺杂的InGaN作为有源层均可实现蓝光发射，Zn掺杂的InGaN因器件性能差而不被广泛使用，目前GaN基蓝光LED主要采用量子阱结构，可以是单量子阱也可以是多量子阱，量子阱与量子势垒交替生长组成超晶格量子阱，阱层材料主要是InGaN，垒层材料组成可以是GaN、InGaN或AlGaN。本发明采用InGaN与AlG...
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