技术编号:6798885
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于大功率半导体元件这一范畴,特别是涉及到一种带有一个阳极和一个阴极的大功率GTO可控硅元件,它包含在阴极和阳极间半导体衬底上有一个由一个n发射层,一个P基区层,一个n基区层和一个P发射层构成的层序列;其中P发射层被阳极短路区隔断、该阳极短路区短接带有阳极的n基区层。本发明还涉及到一种制造大功率GTO可控硅的方法。依据专利EP-A2-0160525,公开了开头提到的这种类型的大功率GTO可控硅。目前这种结构形式的大功率GTO可控硅利用负栅流可以截断几...
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