技术编号:6798963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于高压半导体硅管(包括高压硅二极管、高压硅晶体管、高压硅晶闸管)及其制造方法的发明。本发明属于半导体器件。现有的高压半导体硅管一般是在具有双层结构的硅单晶衬底上制成的,上层为高阻层,起支撑电压的作用;下层是低阻层,起减小导通电阻的作用。管芯制作在高阻层上。低阻层的导电类型与高阻层的导电类型可以是同型的,也可以是反型的。同型的双层衬底结构为N-/N+,P-/P+形式;反型的双层衬底结构为N-/P+,P-/N+形式。低阻层可以是单层的,也可以是双层的...
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