技术编号：6799168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于往半导体基片进行离子注入的真空室，例如注入硼、磷、砷离子，采用了热传递管将热量从被注入的基片移走。在相似的操作方法中，将被注入的基片的表面保持低温的技术要求，已有所叙述。在真空中成组地注入的情况下，热量从被注入基片移走是借助于将热量传递至弹性垫板和支承块、经过基片的支承部传递至被支承的注入盘，或在更先进的技术方法中，直接传递至冷却介质。水，通常被用作冷却介质。可能的最大注入效率(W/cm2)是取决于基片的最高容许温度，取决于冷却水的温度，和取...
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