技术编号：6799327
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CVD法制造铱或铱化合物薄膜所用的原料及其制造方法。背景技术 近年，铱、钌等贵金属被用作各种半导体器件的薄膜电极材料。这是由于贵金属电阻率低，作为电极具有优良的电特性。特别是铱及其氧化物被用作FeRAM的上、下部电极。薄膜电极所用的薄膜的制造方法普遍采用溅射法。近年，化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition法，以下称为CVD法)的应用一直在研究中。这是因为采用CVD法容易制得均一的薄膜，与溅射法相比，其分级覆盖范围(st...
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