技术编号：6800141
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于形成半导体区域的掺杂方法，在半导体器件特别典型的是双极晶体管或绝缘栅场效应晶体管的制造过程中，所述半导体区域具有期望的导电型和电阻率。传统的离子注入法是典型的掺杂技术之一，根据离子注入法的原理，如图23所示，首先，离子源16电离杂质原子，然后通过磁体17进行质量分离。尔后加速管18使离子加速到给定的能源，从而将被加速的离子注入到样品的表面，因此实现了掺杂量的精确控制并便于掺杂穿过一个绝缘层。由于这种原因，在传统的半导体制造工艺中，离子注入...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。