技术编号:6802593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator缩写SOI)的减薄方法,属于SOI。绝缘体上键合硅的技术是1985年IBM公司首先提出来的(J.B.Lasky,″Silicon-On-Insulator(SOI)by Bonding and Etch-Back″Proc.Internationl Electron Devices Weeting,PP.684-687 Dec.1985,USA,)为了得到较薄的硅膜,他们在键合前采用重掺杂N+...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。