技术编号:6802668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及从物件的微结构上选择性除去蚀刻残留物。本发明选择性除去残留物,而不会侵蚀与用于除去所述残留物的组合物接触的金属和/或二氧化硅膜。此外,本发明涉及某些清洁组合物,它适用于除去残留物。背景技术 在制造微电子结构中涉及许多步骤。在制造集成电路的制造流程中,有时需要选择性蚀刻半导体。在历史上,已经成功地利用许多不同类型的蚀刻工艺来选择性除去材料。而且,选择性蚀刻微电子结构中的不同层被认为是集成电路制造工艺的重要和关键步骤。在通孔、金属线和凹槽形成过程中,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。