技术编号:6804257
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅器件和集成电路工艺技术。在超高速电路领域中硅双极集成电路目前仍占主导地位。在BiCMOS技术中,双极技术具有举足轻重的作用。为了提高硅双极集成电路的集成度,降低电路的功耗延迟积,人们想方设法按比例缩小器件尺寸,例如采用先进的光刻技术和各种自对准技术,减小器件的横向尺寸;利用离子注入以及多晶硅发射极等技术,获得无损伤浅结和薄基区,以减小器件的纵向尺寸。此外还采用了先进的深槽隔离技术和硅化物连线技术等等。为了制备超高速硅双极器件,人们的注意力大多集...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。