技术编号：6804497
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般来说涉及在例如半导体结构或微电子器件的衬底上对材料薄层进行刻蚀或去除的技术。具体地说，本发明涉及一种采用控制在待刻蚀材料薄层的表面上形成的薄膜的表面存留时间、组成及厚度的方法去除准确数量的薄层的装置和方法。长期以来水溶性的刻蚀剂被用于从衬底上去除薄膜。然而，湿法刻蚀技术存在许多缺点。这些缺点在湿法清洗及刻蚀会造成微粒及其它污染的半导体工业中表现得尤其明显。因此，采用气相刻蚀的工艺比较好。湿法和气相刻蚀两者均具有的另一个不希望有的特征是刻蚀为各向同...
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