技术编号:6804578
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造半导体器件的硅和硅片,还涉及通过减少铁污染来提高硅中的少数载流子复合寿命的方法。硅本体的少数载流子复合寿命与少数载流子扩散长度是相互关联的,因此,这两个术语有时候可以互换。在P型硅中,少数载流子扩散长度与少数载流子复合寿命的关系由下式表示Ld=((Dn)(tn))0.5式中,Ld是少数载流子扩散长度(cm),Dn是电子扩散系数,取值为35cm2/秒,tn是少数载流子复合寿命(秒)。在n型硅中,少数载流子扩散长度与少数载流子复合寿命的关系由...
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