技术编号:6804859
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁随机存储器,特别是提供了一种具有低写入电流特性的磁随机存储器(英文名为Magnetic Random Access Memory,以下简称MRAM)存储单元及其制备方法,实现了超高存储密度。背景技术 在二十一世纪的今天,信息产业已经成为重要的支柱产业,而信息的存储是当今信息科学的关键技术之一。大容量信息长期的存储主要是通过磁记录和光记录技术来实现。磁记录虽然已有很长的历史,但仍然是目前信息存储的主要方式。面对日新月异的信息时代,大容量、高速度、...
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