技术编号：6804874
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抛光半导体衬底且更具体地，涉及去除阻挡层的无研磨剂抛光流体。背景技术 可以通过在电介质层中布置多个沟槽来形成半导体器件的电路互连。该互连是通过在下层的电介质层上镀覆阻挡层薄膜，然后在该阻挡层薄膜上镀覆金属层形成。形成的金属层必需具有足够的厚度以便使金属充满沟槽。该互连制造工艺包括两步化学机械抛光(CMP)过程的使用。CMP是指用抛光垫或抛光流体抛光半导体晶片的工艺。在第一步抛光中，从下层的阻挡层薄膜和下层的电介质层上除去金属层。该金属层的去除既是...
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