技术编号:6804883
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及自组织生长半导体量子点,特别是通过在半导体衬底表面制作隔离单元来控制自组织生长半导体量子点位置和大小的方法。背景技术 自组织生长方式因可以制得晶格完整,没有缺陷并且尺寸很小的半导体量子点而吸引了越来越多的注意,成为一个国际上非常活跃的研究领域。制作实用化的量子点器件要求控制量子点的位置和大小,但是由于半导体外延生长过程初期成核的随机性和后续的熟化生长过程,通过自组织生长方式在衬底表面形成的量子点的位置与大小难以控制。采用在衬底表面刻蚀凹槽或者凹坑...
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