技术编号:6806502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置,尤其涉及存储多值电平数据的ROM(Read Only Memory-只读存储器)的读出装置。半导体存储装置、例如只读ROM的存储单元数组是这样构成的,即采用矩阵形式配置、由MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)构成的存储单元,将各存储单元的控制极与沿行的方向延长的若干条字线相连接,同时,将源极和漏极与沿列方向延长的若干条位线相连接。在读出具有这种结构的ROM存储器陈列中指定的存储单元时,选择该存储器连接的位线,而且要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。