技术编号：6806516
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及带有接触结构的半导体器件，以及包括这种接触结构的半导体器件的制造方法。所述接触结构用于连接导电区到金属布线上，该导电区形成在至少一个结和栅绝缘膜中上，例如半导体器件的扩散区和栅电极。在一个包括MOSFET晶体管的半导体器件，这些晶体管的源极和漏极区通过接触结构连接到金属布线上。在公知的半导体器件中，一个接触结构是由下列步骤形成的。首先一个象层间绝缘膜这样的绝缘膜，即SiO2膜在一个具有形成晶体管的表面的硅基底上形成，然后有选择地除去该绝缘膜，以便...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。