技术编号:6806555
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属半导体功率器件。众所周知,现有电导调制功率器件具有耐压(VB)高、工作电流(IA)大,正向导通电压(VF)低等优点。但其关断时间(Toff)长、开关频率仅为20KHz左右,这已成为其最大的弱点。迄今这类器件一般都采用异性高阻硅厚外延片作为衬底材料,对NMOS驱动为P+/N-结构;对PMOS驱动为N+/P-结构(以下均相同),如图1所示。采用常规制作工艺在N-(或P-)上制成栅极(G)和阴极(K),而其P+(或N+)则为阳极(A)。该结构决定了关断时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。