技术编号：6807318
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体的光发射与探测耦合组件，特别涉及一种具有垂直集成与光路自对准结构的半导体光发射与探测耦合组件。现有半导体的光发射与探测耦合组件都是由半导体发光与光敏器件的分立小芯片组装成的，它们的工艺复杂、成本昂贵，可靠性与灵敏度等性能均难达到理想的水平。但在另一方面，现有用分子束外延以及金属有机物低压汽相淀积等多薄层晶体生长工艺制造的半导体发光与光探测器件尚未形成单片的集成组件。本实用新型的目的是为克服现有技术的上述缺陷，利用现有多薄层晶体生长工...
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