技术编号:6807414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及用于测量光强的装置及方法,尤其涉及一种用于收集某区域中的光的探测器,其特征在于该区域被小于约270纳米的辐射照射并且在其中放置或安装测量设备是受到限制的。背景技术 在集成电路的制造过程中,众所周知的是,不希望的电荷聚集可以出现在EPROM装置的浮栅(可能的话)、和/或集成电路的其他区域上。如果没有去除或使电荷聚集中性化,这种电荷聚集将导致高电压,且引起对电路的电气损坏或是改变装置的操作。电荷聚集易于出现在制造集成电路常用的诸多处理步骤中的一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。