技术编号:6807680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在绝缘体上拉应变硅层结构及其制造方法。本发明也教导了包括在绝缘体上的应变硅层的系统。此外,本发明还涉及改变薄的结晶层的应变状态的方法。背景技术 如今的集成电路包括大量的器件。更小的器件是增强性能和改善可靠性的关键。然而,由于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,一个历史意义的名字一般意指绝缘栅场效应晶体管)器件规模小,技术变得更加复杂,需要对器件结构进行改变和新的制造方法以从器件的一代到下一代维持预定的性能增强。关于最近进展的半导体器件...
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