技术编号：6807993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，其中在半导体本体的表面处，在与单晶硅区域相邻的氧化硅区域上形成非单晶辅助层。在这种情况下，所述氧化硅区域可以是例如位于半导体本体上的氧化硅层或者氧化硅区域，如凹入半导体本体中的场绝缘区。特别是，在淀积含硅层以及希望这个层作为单晶层生长在单晶硅区域上和作为非晶或多晶层生长在氧化硅区域上的工艺中，该辅助层是有用的。所述辅助层增强了含硅层在氧化硅区域上的生长，结果是可以在低温下进行淀积工艺，所述低温使得在这种淀积工艺中可以避免设置在有源区中的掺杂...
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