技术编号:6808762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体器件,特别涉及半导体器件的动作速度及其高集成化的改进。本发明还涉及制造该半导体器件的方法。通常采用CMOS(互补MOS)晶体管作为半导体存储器件的外围电路,因为其功耗小、动作速度快。关于CMOS晶体管的结构,首先在P型半导体基片中形成一N阱和一P阱。然后,在N阱的预定部位内形成另一P阱,以分别在N阱和P阱上建成一P型MOSFET和一N型MOSFET。在N阱预定部位内形成P阱容许对P型半导体基片和对P阱施加不同的电压,这是由于N阱使P...
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