技术编号:6808790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体电子器件。这样一种功率半导体模块已经在专利公开文献DE3937045A1中叙述过。一般讲,功率半导体模块内有若干个半导体器件,这些半导体器件可以组成一个逻辑功能单元。例如,整流器,装有反并联二极管的单一开关或者相位组件。各类模块与当今大功率半导体领域常用盘封器件的差别主要在于冷却器与电源连接线之间是电绝缘的。这类模块(晶闸管、晶体管、IGBT、MOSFET、二极管模块)现在已广泛应用于高达1200伏和数百安的功率范围,而且主要用于工业动...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。