技术编号：6808922
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在使主要与集成电路的制造相关的，涂敷在介电层、金属层或半导体层上的金属表面平面化中使用的组合物。发明也涉及用于影响金属表面平面化的方法。背景技术 化学机械平面化(CMP)作为各种平面制造工艺中的加工步骤而被广泛地使用，例如在除去和抛光半导体制造方面使用的晶片上所具有的不平或太厚地势的介电层、金属层和半导体层方面。在半导体应用中，CMP可以用来无选择性地抛光非均质材料，以及用来无选择性地除去单层材料覆盖层。CMP可以除去第一层材料的不同厚度直到第二...
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