技术编号:6809134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及制作下述非易失性存储器的方法,它可以通过互连控制栅极来改善控制栅极的连续性,这些沿位线两侧形成的控制栅极在通过源极接点侧面的位线顶部被互连。在非易失性存储器如快速型EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)中,控制栅极沿位线两侧形成,它们在单元阵列外被电连接。附图说明图1表示虚拟地线分离栅极单元阵列的布图,它是常规非易失性存储器快速型EEPROM单元。由场区B分隔出的有源区A被划定包括多个位线C,多个虚拟地线D,多个浮栅极4的沟道区和多...
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