技术编号:6809161
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适合集成电路,如要求精细刻图和高集成密度的MOS集成电路的绝缘栅器件(IG器件),特别涉及一种新的具有SOI结构适合改善MOSFET、MISFEF等的特性的器件结构及其制造方法。在半导体集成电路技术中,特别是近年来,动态随机存取存储器(DRAM)技术,其高集成密度已变得十分突出。然而,随着集成密度的发展,其趋势是使DRAM存储单元面积越来越缩小。其结果,难以确保单元容量来防止由存在于自然界的α射线擦去存储内容,即所谓的软误差。因而,最好使所谓...
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