技术编号：6809198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明背景技术 领域本发明涉及集成电路的制造，并涉及一种用于在衬底上沉积介电层的工艺以及由该介电层所形成的结构。背景技术 在现代半导体器件的制造中，主要步骤之一便是通过气体的化学反应而在衬底上形成金属和介电层。这样的沉积工艺被称为化学气相沉积或CVD。传统的CVD工艺将反应气体供应到衬底表面，在衬底表面上发生热诱或增能化学反应，从而产生所期望的层。自从数十年前首次引入半导体器件以来，半导体器件几何结构在尺寸上已显著减小。其后，在一个芯片上所集成的器件数量每两...
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