技术编号:6809240
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属一种单晶硅芯片材料及制备方法,特别涉及一种带金刚石膜的薄层硅结构芯片材料及制备方法。目前,常见的抗辐射电子器件的材料是绝缘物上的薄层单晶硅材料,称为SOI材料。金刚石膜上的薄层硅结构是发展了的绝缘层上的薄层硅结构。由于金刚石膜的高绝缘、高导热性,使该材料成为制作大功率电子器件和抗辐射电子器件的理想材料。与本发明最相接近的薄层硅结构芯片材料与工艺是“硅片键合与背面刻蚀制作的CMOS/SOI器件的辐射特性”文章中介绍的材料及工艺,该文章载《IEEE T...
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