技术编号:6809490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是(但不绝对)涉及晶片的平整化。在我们的未批相关国际申请No.PCT/GB93/-01368(公开号WO94/01885)中描述了两种方法在晶片上淀积短链聚合物以形成平面层1.处理半导体晶片层的一种方法包括在晶片上淀积液体的短链聚合物Six(OH)y或SiXHy(OH)z,形成总的平面层。2.处理半导体晶片层的另一种方法包括把晶片放在一个室中,通入含硅气体(或蒸气)以及蒸气形式的化合物,该化合物含有过氧化键,含硅气体(或蒸气)与化合物反...
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