技术编号：6810111
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明涉及半导体器件或集成电路(IC)的制造。更具体地说，本发明涉及通过在传统晶片上外延生长具有所需掺杂分布和缺陷密度的半导体层来制造器件或IC。电子器件和集成电路，以及它们的制造方法，在业界已众所周知。通常制造过程是从具有适当掺杂级和缺陷密度的半导体衬底开始的。通过添加过程(例如利用化学蒸汽淀积(CVD)或溅射进行材料淀积)、去除过程(例如蚀刻)或更改原有材料特性的过程(例如离子注入或热退火)，将器件或电路的元件形成在衬底表面之上或之下。利用众所...
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