技术编号：6810129
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化物基半导体器件，更具体地说，涉及氮化物基功率器件，其以倒装法安装在具有无源元件和/或前置级放大器的电路衬底上。背景技术 微波系统通常使用固态晶体管作为放大器和振荡器，导致系统尺寸大大地缩小和可靠性大大提高。为了适应微波系统数量的扩大，人们对提高微波系统的工作频率和功率很感兴趣。较高频率信号能传送更多数据(频宽)，可使较小型天线具有极高增益，而且可为雷达提供改进的解析度。埸效应晶体管(FET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)是常见的固态晶体管，...
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