技术编号：6810438
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造半导体设备的一个步骤——用化学机械抛光(以后称作″CMP″)进行平化中所用的淤浆。背景技术制造半导体设备时，通常在基材上层压上多个层状物，例如绝缘膜和金属膜，形成多层结构。在形成多层结构时，一般关键在于，在基材上层压中间层绝缘膜、金属膜等后，通过CMP平化表面以除去不平坦性，然后在平化过的表面上布置线路。近年来，随着半导体设备的进一步小型化，要求基材上的每一层都具有更高精度的平直度。因此很希望使用CMP，并且半导体设备制造过程中采用的CMP平...
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