技术编号:6810486
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适合形成可以作为高介电率门绝缘膜使用的HfSiO和HfSiON膜,加工性和耐脆化性卓越的硅化铪钯,及其制造方法。另外,本说明书中使用的单位“ppm”全部指wtppm(重量ppm)。背景技术 介电门绝缘膜的膜厚对MOS晶体管的性能影响很大,并且与硅基片的界面是电学上平滑的以及载体的运动性不劣化是必要的。以往,SiO2膜用作该门绝缘膜,在界面质量方面是最优越的。另外,具有用作该门绝缘膜的SiO2膜越薄,载体的数目(即,电子或电子空穴)增加,并且漏电流...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。