技术编号：6811083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置，具体涉及带有焊接区的半导体装置。随着新一代产品的开发，集成电路的元件密度不断提高。通常借助于减小集成电路中元件的尺寸来获得更高的元件密度。装置的接触窗口和其它部位一般都要加以缩小，致使某些金属互连难以制作。此时，互连层一般需要有一个通常包括难熔金属、难熔金属硅化物或难熔金属氮化物的势垒。比之铝，这些难熔金属材料一般都更坚硬，这意味着它们不是弹性的而且不容易弯曲。附图说明图1示出了焊接区结构的平面图。此结构包括一个刻划线10、一个含有互...
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