技术编号：6811242
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别涉及用有不同腐蚀速率的薄膜形成接触孔，比用常规光刻工艺形成的接触孔更精细的、。常用的半导体技术要求半导体器件具有高集成度以及较高的运行速度。按这种要求，就增加了对具有精细图形半导体器件的需求。通常，为了使导电层相互电连接，在导电层之间形成接触孔。然后用导电材料填充接触孔，使导电材料与衬底接触。按这种常规的接触方法，如图1所示，在半导体衬底或导电膜1上形成绝缘层2，并用光刻胶膜(未画出)覆盖绝缘膜的上表面。随后，为了露出用常规曝光设备所能达到...
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