技术编号:6811278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及形成一种平滑的结构致密的下电极的技术,以便在为高集成半导体器件制作电容中形成呈现高介电常数的介质膜。一般,在DRAM和非易失的FRAM中采用介质材料的电极作为存贮电荷的介质薄膜的下电极。在薄膜红外传感器、光存储器、光开关和光调制器中,也采用介质材料的电极作为显示元件的薄膜的下电极。在DRAM使用这种下电极并包括一组单元每个单元由一个MOS晶体管和一个电容器构成的情况下,电容器的电容量C可由下式表达C=(Eo×Er×A)/T其中,Eo...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。