技术编号：6811305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率半导体器件的制造方法，具体地讲，涉及能控制闩锁有杂质注入结构的。众所周知，在功率半导体器件中闸门选通晶体管，特别是在沟道闸门选通晶体管中，闩锁现象作为限制工作电流大小的原因起着主导作用。总之，在具有晶闸管结构的闸门选通晶体管中，当流向设在P-型阱上部的N+型源结区下方的空穴电流变大时，由于前述P-阱的电阻值，前述阱与源结区就出现电压差。该电压差增加到一定值以上，寄生npnp晶闸管就工作。当该晶闸管工作时，就成为供给pnp晶体管电流(电子电流)...
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