技术编号:6811432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,特别是涉及以下这种半导体器件接触孔的形成方法,包括对它涂覆有重掺杂的硼硅玻璃(BPSG)膜进行热处理以产生平整的表面,并以连续的方式在热处理所用同一涂覆轨迹的加热部件中沉积光敏抗蚀剂膜于该BPSG膜上。在制作具有高度集成结构的半导体器件时,由于高度集成化而在半导体器件表面形成许多凹凸不平的不规则形状,结果使半导体器件具有强烈的地志形貌,由此提供平整的表面,可以通过用绝缘薄膜填满这些不平之处来消除不规则形状,这样,提出了一种平整化方法,它采用加以...
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