技术编号:6811433
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及利用具有不同构造的双层硅化钨膜形成栅极来,该方法尤其适用于制造高集成度的半导体器件。通常,当仅用多硅晶在半导体器件上形成栅极时,则半导体器件的集成度越高,字线(work line)的电阻将越大,因而,半导体器件的工作速度越低。如上所述,已经发现一种能防止上述电阻增加,工作速度降低的。在这种方法中,用诸如钨等具有低电阻的金属硅化物层叠在栅极上。下文将更详细地描述上述传统的制造方法。附图说明图1是半导体器件的剖面图,它示出制造具有用硅化...
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