技术编号：6811448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体蚀刻装置，更具体地说，涉及将等离子体基本上约束在与待蚀刻的工件(例如，半导体晶片)宽度相当的宽度区域内的等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻已成为集成电路制造上人们乐于用来在不同的层上蚀刻图案用的技术。这种蚀刻用的设备一般包括一个蚀刻室，内装一对基本上是平面的电极，它们相隔一段距离，彼此平行，其间围出一个互作用空间。在该电极中的第一个，放着准备加工的半导体晶片。为了进行这样的处理，将适当的气态介质引入蚀刻室，然后在这对电极之间，加上一个或多个适...
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