技术编号：6811513
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，特别是涉及制造半导体器件中的晶体管的一种方法，该方法通过在SOI(绝缘体上的硅)层上形成一多晶硅层，然后在其中注入杂质离子，以形成较沟道和LDD区(轻掺杂漏区)更厚的结区，来改善激励速度。目前，随着半导体器件的集成度越来越高，SOI晶体管能用作下一代的晶体管。SOI晶体管作为一种器件，其电性能，例如击穿特性和阈值电压，与通常的MOS(金属氧化物半导体)晶体管相比，有了明显的改进。这种SOI晶体管是在SOI晶片上形成的。就SOI晶片的结构看，其中...
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