技术编号:6811649
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在半导体器件中制作阻挡扩散金属层(diffu-sion barrier metal layer)的方法。此方法能够在半导体器件的金属导线形成过程中防止金属导线物质扩散进入其层下,更具体地说,涉及一种能用在深和狭窄接触区的制作阻挡扩散金属层的方法。在256 M DRAM以上的高度集成半导体器件中,通常使用氧化钌(RuO2)层作为阻挡扩散金属层,并且作为铝、钨或铜形成的金属导线的粘合层。在现有技术中,氧化钌层是用物理气相沉积(PVD)或化学气相沉...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。