技术编号:6811738
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成半导体器件的旋涂玻璃(下文称为″SOG″)膜的方法,特别涉及形成下述半导体器件的SOG膜的方法,在该膜形成后,进行等离子后续处理,降低SOG膜的吸湿性,因此改善器件的可靠性。通常,SOG膜由于具有高粘度而具有均匀平直性和高耐破裂性的优点。利用旋涂方法加SOG材料,因为通过旋涂后进行退火处理使其凝固,所以,SOG材料作为绝缘层。因此,在制造半导体器件工艺中,利用SOG膜达到绝缘的目的和使金属布线之间以及器件整个结构平面化。但是,由于SOG膜容易...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。