技术编号:6811811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用场效应晶体管(以下称FET)的高频功率放大电路。在最近的数字通信技术中,已知有采用GaAs等化合物半导体作为高频放大用的FET。当采用FET进行功率放大时,通过将该FET的源电极接地、并在漏电极及栅电极上分别施加漏偏压VDD及栅偏压VGG,设定固定的偏置点。如在栅电极叠加输入高频信号,则可从漏电极得到放大后的高频输出信号。其次,为使功率放大电路的增益最大,必须从信号源取出尽可能大的功率(最大可用功率),并将其供给FET。为此,要在信号源与FE...
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