技术编号:6812016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光吸收元件的结构和包含该光吸收元件的半导体器件的制作方法。图1示出了现有技术的光电二极管和双极型晶体管的构造,它们是光吸收元件并形成于同一衬底上。图1中,左边区域示出了一个光电二极管的结构的例子,右边区域示出了双极型晶体管的结构的一个例子。N型淀积层14和P型淀积层P+15分别形成于n型半导体衬底11上。然后通过生长N型外延层16形成P型半导体元件隔离区17。P型半导体的基极区域18形成于外延层16上的右边区域,N+型扩散层19形成于左边区域...
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