技术编号：6812259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体存储装置，尤其涉及SRAM(static random accessmemeory)。背景技术 近几年来，随着半导体工艺方法的微细化，晶体管特性偏差正在增加。由于该特性偏差使电路的合格率受到很大的影响，因此抑制晶体管特性偏差的设计今后将变得越来越重要。现有，具有6个晶体管构成的CMOS型的SRAM存储单元已为人们所熟知。它是由1对NMOS存取晶体管、1对NMOS激励晶体管、1对PMOS负载晶体管合计3种(6个)晶体管所构成。为了抑制SRAM...
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