技术编号:6812288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及掩模只读存储器(ROM)等半导体存储器件。以往,在掩模ROM中,利用熔丝构成用于保护故障存储单元的冗余存储单元。这种熔丝由多晶硅构成,而且,利用烧断或者不烧断熔丝,进行数据的存储。但是,与由MOS晶体管构成的主存储单元相比,由熔丝构成的冗余存储单元在半导体芯片上占有较大的面积。此外,为了烧断熔丝,必须在该熔丝上施加高电压。因此,如图46所示,以往的掩模ROM的平面布置图设定成将主存储单元阵列1和冗余存储单元阵列2配置在分开的地方。为此,需要新增对...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。