技术编号:6812324
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及SOI(绝缘膜上生长硅)基片及其制造方法,具体地说,涉及能同时形成有平坦表面的SOI基片、元件分隔膜和埋置绝缘层的SOI基片及其制造方法。通常,CMOS晶体管的制造工艺中,为了确保在大面积上的元件间分隔及防止CMOS晶体管的闭锁现象,要形成元件分隔。此时,增加了分隔区就减少芯片区,从而成为阻碍高集成度化的因素。为解决这种问题,提出了SOI技术。作为完全的元件分隔结构,在硅支撑基片与器件用硅基片之间设置预定厚度的埋置绝缘膜的SOI基片,可防止CMO...
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