技术编号：6812326
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及SOI及其制造方法，特别是涉及同时形成埋置绝缘膜和元件分离膜的SOI基片及其制造方法。通常，在CMOS晶体管的制造工序中，为了在大面积上确保避免元件间的分离和CMOS晶体管的闭锁现象，需要形成元件分离。此时，增加分离面积就要减少基片面积，从而成为阻碍高集成度的因素。为了解决这种问题，提出了SOI(绝缘体上生长硅)技术。在硅支撑基片和器件用硅基片之间夹置预定厚度的埋置绝缘层的SOI基片，是完全的元件分隔，因而可防止CMOS晶体管的闭锁现象，使元件的...
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